전원공급장치 설계에서 성능과 효율을 한번에 잡는 와이드밴드갭(WBG) 솔루션

산업용 애플리케이션에서는 디바이스의 효율과 성능이 뛰어날수록 좋습니다. 이를 달성할 수 있는 방법 중 하나는 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 기술을 사용하는 것입니다. WBG 기술은 지속적으로 개선되고 있으며, 불과 몇 년 전과 비교해 보더라도 지금은 사용할 수 있는 제품 수가 더 많아졌고 가격도 더 저렴해졌습니다.

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SiC MOSFET이 왜 좋다는 걸까?

실리콘 카바이드(SiC) 트랜지스터는 애플리케이션의 크기, 무게 및/또는 효율에 관한 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있기 때문에 고전압 전력 변환기에 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 이유가 무엇일까요? 이번 포스트에서는 그에 대한 이야기를 해보겠습니다.

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울트라 와이드 밴드 갭(UWBG) 반도체를 활용한 차세대 시스템 설계

울트라 와이드 밴드 갭(Ultra-Wide Bandgap, UWBG) 반도체는 그 우수한 특성으로 인해 다양한 분야에서 새로운 기회를 열어주고 있다. UWBG 반도체는 실리콘(Si, 1.1eV 밴드 갭)이나 질화갈륨(GaN, 3.4eV 밴드 갭), 탄화규소(SiC, 3.3eV 밴드 갭)와 같은 와이드 밴드 갭 반도체보다 그 에너지 차가 훨씬 크다.

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