SiC가 차세대 자동차 전력 전자 장치를 구현하는 방법

전기차(EV)는 전력 전자 설계에 있어 매우 엄격하며 때로는 상충하는 제약 조건을 부과합니다. 트레이드오프(상충 관계)를 관리하는 것은 OEM과 티어 1(Tier-1) 공급업체의 핵심 과제 중 하나가 되었습니다. 실리콘 카바이드(SiC)는 고전압(HV) 전력 전자 분야에서 이러한 과제를 해결하기 위한 중요한 와이드 밴드갭(WBG) 소재로 부상했습니다.

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over 1 year ago

APP&TECH | GaN 전력: 에너지 효율의 게임 체인저

휴대폰 충전기부터 태양광 발전에 이르기까지 GaN은 에너지 효율에 혁명을 일으키고 있습니다! 더 작고, 더 가볍고, 더 빠른 GaN은 차세대 전자 제품을 위한 동력을 제공합니다. 지금 마우저에서 GaN 부품을 살펴보세요: www.mouser.kr

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7 months ago

SiC가 친환경 에너지파워 인버터에 이상적 소재인 이유

인버터 기술은 전력 변환에 있어서 커다란 이점을 제공하지만, 규모와 내구성 면에서 해결해야 할 과제들이 있다. 또한 기존 아키텍처는 능동 냉각 시스템과 중장비의 도움이 필요하다. 기술적 성능과 상업적 성공, 이 두 마리 토끼를 모두 잡기 위해 엔지니어들은 대형 태양광 및 풍력 인버터에 이상적인 소재이라 할 수 있는 실리콘 카바이드(SiC)를 채택하고 있다.

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over 3 years ago

전원공급장치 설계에서 성능과 효율을 한번에 잡는 와이드밴드갭(WBG) 솔루션

산업용 애플리케이션에서는 디바이스의 효율과 성능이 뛰어날수록 좋습니다. 이를 달성할 수 있는 방법 중 하나는 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 기술을 사용하는 것입니다. WBG 기술은 지속적으로 개선되고 있으며, 불과 몇 년 전과 비교해 보더라도 지금은 사용할 수 있는 제품 수가 더 많아졌고 가격도 더 저렴해졌습니다.

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about 2 years ago

SiC MOSFET이 왜 좋다는 걸까?

실리콘 카바이드(SiC) 트랜지스터는 애플리케이션의 크기, 무게 및/또는 효율에 관한 엄격한 요구 사항을 충족할 수 있기 때문에 고전압 전력 변환기에 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 이유가 무엇일까요? 이번 포스트에서는 그에 대한 이야기를 해보겠습니다.

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about 2 years ago

울트라 와이드 밴드 갭(UWBG) 반도체를 활용한 차세대 시스템 설계

울트라 와이드 밴드 갭(Ultra-Wide Bandgap, UWBG) 반도체는 그 우수한 특성으로 인해 다양한 분야에서 새로운 기회를 열어주고 있다. UWBG 반도체는 실리콘(Si, 1.1eV 밴드 갭)이나 질화갈륨(GaN, 3.4eV 밴드 갭), 탄화규소(SiC, 3.3eV 밴드 갭)와 같은 와이드 밴드 갭 반도체보다 그 에너지 차가 훨씬 크다.

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